Тендер: Выполнение опытно-конструкторской работы «Разработка технологий изготовления эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур арсенида и нитрида галлия с низким уровнем фонового легирования для СВЧ транзисторов и монолитных схем диапазона до 150 ГГц
Завершён
Документация
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
Закупка у единственного поставщика
Ссылки на источники
- 44-ФЗ ЕИС 0173100009513000821
Заказчик
Наименование
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ИНН
7705596339
КПП
770301001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование |
|
---|
:
:
Тендер на выполнение опытно-конструкторской работы «Разработка технологий изготовления эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур арсенида и нитрида галлия с низким уровнем фонового легирования для СВЧ транзисторов и монолитных схем диапазона до 150 ГГц
Тендер на выполнение опытно-конструкторской работы «Разработка технологий изготовления эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур арсенида и нитрида галлия с низким уровнем фонового легирования для СВЧ транзисторов и монолитных схем диапазона до 150 ГГц at
Город Москва, Москва город, Russia, RU
Москва город
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: Выполнение опытно-конструкторской работы «Разработка технологий изготовления эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур арсенида и нитрида галлия с низким уровнем фонового легирования для СВЧ транзисторов и монолитных схем диапазона до 150 ГГц.
Цена: 99000000 руб.