Тендер: выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников
Завершён
Начальная цена
1 500 000 ₽
Место поставки
Советский район
,
Новосибирская область
Организатор закупки
Документация
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31400868876
Контактная информация
Контактное лицо
Принц Ирина Васильевна
Телефон
+7 (383) 3307740
Электронная почта
princessa@isp.nsc.ru
Заказчик
Наименование
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
ИНН
5408100057
КПП
540801001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
:
:
Тендер на выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников
Тендер на выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников at
Советский район, Новосибирская область, Russia, RU
Новосибирская область
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников.
Цена: 1500000 руб.