Тендер: приобретение эпитаксиальных структур на основе GaAs типа MESFET со стоп-слоем InGaP
Завершён
Начальная цена
2 222 500 ₽
Место поставки
Зеленоград
,
Москва город
Организатор закупки
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Анализ заказчика
Документация
- 30.05.2018
- Договор 53-051_МИЭТ-Эльфолюм
- 21.05.2018
- Протокол рассмотрения заявок и подведения итогов закупки №31806448432-01
- 19.05.2018
- Протокол 051
- 04.05.2018
- file_e751a7a6ac0d44ef2196cdeb3ed4588d.doc 346 КБ
- file_85fe28ddcb2cc418b4f65b67822094cf.docx 23 КБ
- Извещение к тендеру #31806448432 (Печатная форма)
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование |
|
---|
:
:
Тендер на приобретение эпитаксиальных структур на основе GaAs типа MESFET со стоп-слоем InGaP
Тендер на приобретение эпитаксиальных структур на основе GaAs типа MESFET со стоп-слоем InGaP at
Зеленоград, Москва город, Russia, RU
Москва город
Электрическая распределительная и регулирующая аппаратура, Электроустановочные изделия, Электронные компоненты
Предмет тендера: приобретение эпитаксиальных структур на основе GaAs типа MESFET со стоп-слоем InGaP.
Цена: 2222500 руб.